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posts/2DW23x.md

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+# 2DW23x 基准
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+by adq, 2022-03-05
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+2DW231 至 2DW235 是一系列国产精密齐纳基准. 其中, 上海无线电十七厂的产品通过使用掩埋技术, 具有非常低的噪声. 在国内的 bbs.38hot.net 论坛和国外 forum.eevblog.com 中收获无数讨论. 在这里, 作者对感兴趣的部分进行归纳和整理.
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+TO-39 封装
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+Vz 5.8V - 6.6V, norm 6.0-6.5
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+IzR 10mA Rz:≤15Ω (Iz=10mA) Izmax:30mA
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+αvz:≤5e-6/℃ （I=Izt T1=25℃ T2=75℃）
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+IR1： Vz=1V Imax=1μA @25℃
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+IR2: Vz=1V@100℃ Imax=10μA
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+封装上有钻石图样的上海无线电十七厂产品有低噪声特性, 典型值 336nVpp @ 5.7mA, 236nVpp @ 11.8mA.
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+正面钻石标记和生产日期, 如 1405; 有侧面彩色点印记. 关于彩色点的意义, eevblog 上 zlymex (国内 38hot 论坛上的 lymex) 和 technix 有一些分歧, 观点包括: 
+1. 彩色点标注齐纳负极
+2. 彩色点标注不同型号. Red=2DW232, yellow=2DW233, pink=2DW234, green=2DW235.
+3. For Shanghai No. 17 Radio Factory their dots don't signify anything regarding pins.
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+## 会发光的2DW23x by archwang, 2015
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+http://bbs.38hot.net/forum.php?mod=viewthread&tid=120731
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+对比上世纪和13年上海无线电17厂的2DW23X, 发现之前的同名称产品工作会有发光. 发光的器件为表面齐纳, 在发光点发生击穿, 因而噪声大; 钻石牌使用掩埋齐纳工艺, 则没有.
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+## 国产2DW系列基准管的噪声测试比较 by longshort, 2013-06
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+http://bbs.38hot.net/forum.php?mod=viewthread&tid=49306
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+测试条件: 6 位读数, 低通截止频率 .8 Hz.
+- 2011 出厂, 宝石牌 2DW232 经过 3.5 - 100 ℃ 的 15 次循环: .287ppm
+- 朝阳远征 CYZ 牌 2DW232, 镀金引脚, 未经过温度循环老化: .278ppm
+- 陕西骊山微电子公司, 骊创2DW14A: .249ppm
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+## 基准器件的温度循环老化试验 by longshort, 2012-07
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+http://bbs.38hot.net/forum.php?mod=viewthread&tid=25193
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+2DW233 循环热冲击老化, 沸水1min - 室温1min - 自来水冲淋1min - 冰水浸泡1min - 室温1min. 58% 的改善率, 但我认为并不显著.
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+## 上无十七厂版2DW232噪声水平测试 by longshort, 2014-06
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+http://bbs.38hot.net/forum.php?mod=viewthread&tid=84620
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+## Ultra Low Noise Reference 2DW232, 2DW233, 2DW23x by zlymex, 2016-09
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+https://www.eevblog.com/forum/metrology/ultra-low-noise-reference-2dw232-2dw233-2dw23x/
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+在 TO-39 封装铁罐内, 晶圆用类似环氧树脂固定. 推测超过 100/120℃ 老化加速.
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+空气流动会造成温度变化, 反映在输出频谱类似 1/f 噪声. 用泡沫包覆可以缓解.
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+自动化测试: Vz 温度系数是电流的函数, 寻找 0 温漂对应的电流. 测试难点: ADC 位数和动态范围, 电流变化导致温度变化. 可以用输出和一个近似的源进行对比, 因而直流共模变小. (Null Detector)
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+2DW232 - 2DW235 的零 Tc 电流相同
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+2016-10 的购买中, 有 2016 和 2015 两批日期代码.
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+3D 打印做防风帽子, 厚壁使用切片软件设置为气室结构, 隔热更佳. PLA ABS 耐温. 兼顾 TO-39(2DW), TO-99 TO-46(LM399) TO-5(LTZ)
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+电阻器阵列被建议使用 Vishay NOMCA 和 pots Bourns 3250W 或 VPG 1280G.
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+电阻器没什么花哨的，Vishay UXB 系列或 PTF56. 基准级齐纳在工作点附件的动态电阻很小, 限流电阻与之分压后的比值是电流源波动对输出的实际影响.
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+LM399 的齐纳基准部分和 LM329 可能是一致的?
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+使用 KE2461 注入电流, DMM7510 监测: 5mA, 600uVpp, 166uVrms; 10mA, 6uVrms; 包裹3层毛巾, 30min settle; 暴露空气中则不会稳定
+DMM7510 测到了 383nVrms.
+VintageNut 表示在空气中零温度系数电流在 7-8mA, 包裹后 6-7mA
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+Alex Nikitin 的测试表明, 2DW23x 的随机噪声很小, 对温度和气流相对更敏感. 在 7.5mA 6V 下的耗散和自热效应显著, 空气流动可造成能被观察到的漂移, 海绵包裹后也有 ppm 级别的漂移. 在 7.5mA 测定动态电阻 13-14 Ω
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+## 5V Precision Voltage Reference, Bootalito, 2017-12
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+https://www.eevblog.com/forum/metrology/5v-precision-voltage-reference/
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+版主的方案: 2x9V 锂电池, TL432 10.7V, LT1021-5. 推荐使用 MAX6350-5 + 3S LiPo 电池 + 充电管理: LiPo 低自放电 且充电管理方案多.
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+Andreas 提出, 掩埋齐纳的 5V 基准使用 10V 以上供电可提高 PSRR. 同时提到湿度引发漂移. 出于功耗原因使用 LT1763 电源预稳压. 他的 AD586LQ 样本在6个月连续工作后具有 2ppm/yr 的典型漂移. 他建议在基准附近星型接地, 不建议使用地平面.
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+Kleinstein 指出, 对比直插器件, SMD 器件受机械/热应力影响更为显著. Andreas 在老化试验中使用了直插原件座以降低影响. David Hess 提到插件座的额外接点在温度梯度下引发热电动势. Bootalito 发现 DIP-8 比较 SOIC-8 具有更好的漂移特性
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+## https://eevblog.com/forum/metrology/lm399-based-10-v-reference/
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+其他的精密基准: AD584TH, AD586LQ, MAX6126AASA, MAX6226, AD586LQ, LM334H, REF02DT, ADR444ARZ/ARMZ, LTC6655 ceramic
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+## https://www.eevblog.com/forum/projects/voltage-reference/
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+咨询了 MAX6350 掩埋齐纳 ADR4550 REF5050 作廉价基准的问题. 问题在于塑料封装不太好. 建议选择 MAX6350MJA 陶瓷封装. 建议再读 AN-82, 通过 burn-in 释放应力并度过初始老化; ADR4550 60% 湿度阶跃造成最高 200ppm 变化(300hr), 迟滞很小或无法测量.
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+对廉价基准, 特别注意温度回滞(可能很差). 'reference conditioning', 使用衰减幅度的温度振荡泄放温度相关的应力.
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+还提到 VRE305A, 陶瓷基板, 买不到, 非常贵.
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+提到 REF102C(TO-99) 作为转移基准, 经过老化和温度振荡, 并稳定在42° 高精度温控和热绝缘
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+ISL21009 大量拆机
+ADR4550BRUZ $12
+MAX6350ESA	$5
+REF5050		$5
+MAX6126A 	$6
+LM399 之前淘宝12包邮

posts/trial_and_error_in_electronics.md

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+# Trial & Error in Electronic Design
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+电子系统设计踩坑和填坑纪实
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+## 模拟信号链板焊接装调失败案例
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+by adq, 2022-03-03
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+### 过程描述
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+信号链主要器件 LMP7715, ADA4522. 使用单 5 V 输入, LM27762 转换为 ±2.7 V. 焊接并使用无水乙醇刷洗后上电, 输入指示灯亮, LM27762 Power Good 不亮. 使用焊台蘸取松香处理其 WSON 封装引脚并重复无水乙醇刷洗后 Power Good 点亮. 测量发现输出电压出现较大漂移: +3.5 V 和 -3.0 V, LMP7715 承受超过绝对额定最大值的电压应力而损坏. 过程中没有出现冒烟或异味.
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+重新计算 LM27762 正负轨道的反馈电阻取值, 未发现错误. 测量反馈电阻值, 在标称的 1% 误差内. 改变反馈电阻取值, 设定输出为 ±2.5 V. 此时两轨道输出绝对值下降, 但仍高于 2.5 V 的设定值.
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+### 故障分析
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+LM27762 封装较小, 首次焊接出现焊接浸润不良, 故 Power Good 指示不良. 使用松香烙铁返修时, 加热温度-时间超过芯片耐受, 内部基准特性发生漂移变高, 因而正负两轨道绝对值均增大, 而 Power Good 指示正常.
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+## STM32CubeMX 工程生成卡在 "Generating Code" 阶段
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+by adq, 2022-03-04
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+### 问题背景
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+STM32CubeMX - Keil uVision 5 工具链开发, 需要重新配置初始化和片上外设设定等参数时, 在 uVision 中关闭工程而不是退出程序, 则偶发 CubeMX 工程生成卡在 "Generating Code" 阶段. 当重新生成工程时如果关闭 uVision, 则不会出现上述故障情况.
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+### 问题分析
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+STM32CubeMX 在重新生成工程时会依照最新的配置情况进行读写. 对 .uvprojx 工程配置文件, 采取重新生成并覆盖的措施; 对 .c / .h 程序文件, 保留用户自定义的文件, 对模板中出现的文件则只保留 User Code 部分. 推测 uVision 关闭工程后, 并未完全释放上述一个或多个文件的句柄, 造成 CubeMX 没有完整的 rwx 权限, 引发错误; 而使用 Java SE 的 CubeMX 程序并没有对这种错误进行处理, 在用户视角看来就是生成进度条卡在 "Generating Code" 阶段.